闪存制造设备EDA软件成新的潜在美限华领域；DRAM价格有望明年反弹；

闪存制造设备EDA软件成新的潜在美限华领域；DRAM价格有望明年反弹；

　　好用的减肥软件,英语默写软件,喵喵软件原标题：闪存制造设备&EDA软件成新的潜在美限华领域；DRAM价格有望明年反弹；

　　闪德君按：「本周要闻」辟出部分篇幅整理当周值得关注的投融资等财经类行业重要资讯，以满足对相关内容感兴趣的读者。本周相关内容3条如下：

　　SK海力士期待此次收购能使其目前的8英寸代工能力增加一倍。在经历反垄断审查时，韩国审查机构于今年3月表示，SK海力士旗下代工部门与Key Foundry在相关市场合计份额仅约5%，不会导致妨碍竞争的风险。

　　7月29日，常熟经济技术开发区举办重点项目集中签约仪式，26个产业项目集中签约，项目累计投资额达106.15亿元。

　　其中，弘润存储芯片封测项目总投资40亿元。一期从事逻辑芯片、存储器芯片测试业务，拟租赁厂房1万平方米，达产后年产值6.5亿元，年税收5000万元；二期建设存储器芯片封装测试基地，拟占地80-100亩，达产后年产值约45亿元，年税收约3.6亿元。（详情查看）

　　江波龙5日在深圳证券交易所创业板上市，证券代码为301308，发行价格55.67元/股，发行市盈率为24.76倍。

　　江波龙是国产半导体存储领域龙头企业，主要从事Flash及DRAM存储器的研发、设计和销售，产品主要包括嵌入式存储、固态硬盘、移动存储和内存条。

　　2019年至2021年，江波龙的营业收入分别为人民币57.21亿元、72.76亿元、97.49亿元，复合年均增长率达到30.54%；净利润分别1.27亿元、2.76亿元以及10.13亿元，复合年均增长率达到182.42%。

　　根据路透社援引四位知情人士消息称，美国正考虑限制向中国存储器制造商出口美国的芯片制造设备，希望借此来限制中国的半导体产业发展。

　　根据两名消息人士表示，根据正在研拟的计划，美国官员将禁止向中国出口用于制造128层堆叠以上NAND Flash闪存的芯片设备。而目前生产该类芯片设备的美国大厂，就包含了科林研发(LAM Research) 以及应用材料( Applied Materials) 等厂商。

　　对此，消息来源指出，目前针对相关计划正在讨论阶段，还没有任何的法案起草程序。美国商务部也不愿评论相关新闻消息，仅指出美国政府的重点是削弱中国制造先进半导体的能力，以应对美国的重大国家安全风险。至于科林研发、SK海力士和美光也拒绝就美国政策发表评论。三星、应用材料、长江存储、以及西部数据则还没有对相关消息做出回应。

　　此外，据美国科技新闻网站二（2日）报道，美国正在制定新的出口限制措施，将管控设计新一代高端芯片所需的特定设计软件输出给中国，这类设计软件是制造高端人工智能（AI）芯片的必备工具。

　　新的芯片设计软件出口禁令一旦实施，电子设计自动化（EDA）软件与工程服务的几家重要厂商将受到影响，例如：益华（Cadence）、新思（Synopsys）、西门子（Siemens）等。（详情查看）

　　根据日系投资机构出具最新报告指出，随着消费需求疲软、库存调整，第三季存储价格跌幅扩大至近10%；伴随出货量成长较低，预计下半年存储商的盈利将出现调整状况。

　　日系投资机构预估，由于设备准备时间和技术迁移缓慢，如果2023年第二季价格出现反弹，2023年上半年DRAM供应将转而紧张。同时，存储制造商控制资本支出，有助于投资人情绪在今年下半年获得改善。对此，重申对该产业、存储制造商的积极看法，包括美光、SK 海力士。

　　此外，根据新韩投资公司分析师Choi Do-yeon和NamKung Hyon近日指出，对于三星这种原厂而言，内存市场行情是否将转向上行周期，取决于三方面：客户公司的芯片库存耗尽；平均售价水平明显下降；个人消费支出回升（个人电脑和智能手机订单强劲）。

　　并预期内存市场状况可能会在2023年上半年反弹，2023年下半年进入明显的上升趋势。

　　据台媒《科技新报》报道，Nand Flash上半年虽然西数/铠侠污染事件一度似乎要引发业界的供不应求，但在恢复正常后，第二季下旬后需求衰退快速，目前看来需求尚未有恢复的迹象，第三季价格下跌趋势确立，盼在上游控制产能以及圣诞节的旺季需求激励下，第四季盼筑底回升。（详情查看）

　　兆易创新官方报道，根据公司的战略定位，为了更全面、有效地推动公司集团化发展运营，提升公司品牌价值，更好地推动各项业务的发展，公司中文原名称「北京兆易创新科技股份有限公司」变更为「兆易创新科技集团股份有限公司」，英文原名称「GigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.」变更为「GigaDevice Semiconductor Inc.」。

　　声明称，公司更名后，业务主体与法律关系不变，以原名称签署的合同、协议、声明等法律文件（如有）在其有效期内将继续有效，原有的业务关系和服务承诺保持不变。

　　8月3日，南亚科技公布2022年7月份自结合并营收为新台币43.96亿元，较上月减少16.02%，较去年同期减少44.70%。累计合并营收为新台币423.73亿元，较去年同期减少12.30%。

　　铠侠宣布推出第二代基于BiCS 3D闪存技术的存储级内存（SCM）XL-FLASH，可显着降低平均bit成本，同时提供高性能、低延迟存储性能。预计该产品将在今年11月开始送样出货，2023年开始量产。

　　据铠侠介绍，第二代XL-FLASH除了现有SLC之外，还增加MLC功能，从而显着降低了bit成本模型。同时，与第一代产品相比，第二代产品的吞吐量也大幅增加。容量方面，新款 XL-FLASH的容量密度将达256 Gb。

　　铠侠的第二代XL-FLASH内存解决方案旨在为数据中心和企业级服务器和存储系统带来更高的性能和更低的成本。未来，也有可能使用CXL（Compute Express Link）应用该产品。

　　据韩媒Business报道，韩国业界2日透露，三星电子京畿平泽P3工厂（P3）设备进口正在推迟。DRAM设备的进口时间很有可能延长到10~11月。

　　P3工厂是三星目前在建的综合生产基地，包括存储和半导体代工产线年下半年。大框架不会改变，但在细节上有所变动。NAND相关设备计划从今年3月开始投入使用，但稍稍推迟到了5月。上述前置时间的延长和许可程序的变化是主要原因。

　　近日，SK海力士向客户发送了238层 512Gb TLC 4D NAND闪存的样品，并计划在2023年上半年正式投入量产。公司表示：「自2020年12月完成176层NAND闪存研发以来，时隔仅1年7个月，SK海力士全球首次成功完成了新一代技术的研发。此次238层NAND闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球最小的面积，其意义更加非凡 。」

　　SK海力士在2018年研发的96层NAND闪存就超越了传统的3D方式，并导入了4D方式。为成功研发4D架构的芯片，公司采用了电荷捕获型技术(CTF，Charge Trap Flash)和PUC(Peri. Under Cell)技术。相比3D方式，4D架构具有单元面积更小，生产效率更高的优点。

　　群联电子最近宣布推出企业级固态硬盘（SSD）平台X1，该X1平台将提供业界最先进的企业级PCIe Gen4 SSD解决方案。

　　群联企业级X1 SSD平台采用群联独家的技术，再加上与巨量数据存储解决方案的全球领导者Seagate? Technology Holdings plc共同合作设计的。X1将满足更快、更智能的全球数据中心不断变化的需求。

　　昨（3）日，美光科技宣布，公司车规级高性能LPDDR5 DRAM内存和基于3D TLC NAND技术的UFS 3.1产品已被应用于理想汽车最新推出的全尺寸智能旗舰SUV车型——理想L9。

　　美光科技表示，LPDDR5和UFS 3.1解决方案可助力理想L9的高级驾驶辅助系统（ADAS）实现最高L4级自动驾驶。此外，理想L9跨域控制单元还搭载了美光的NOR闪存和eMMC技术。

　　2020年，SK海力士宣布以90亿美元收购了Intel的NAND闪存业务，并于次年组建了新公司Solidigm。而在8月3日，Solidigm正式推出了成立以来的首款消费级Solidigm P41 Plus固态盘（SSD）。